China y EEUU están trabajando juntos en el desarrollo de los primeros semiconductores de grafeno, a pesar de su rivalidad en otros ámbitos estratégicos. El grafeno se postula como un candidato prometedor para reemplazar al silicio en la electrónica. Los científicos han descubierto que el grafeno tiene una movilidad de electrones diez veces mayor que el silicio a temperatura ambiente. Aunque este logro es solo un primer paso, los investigadores creen que están abriendo la puerta a un cambio de paradigma en la electrónica. Esta colaboración entre China y EEUU en el campo de la investigación científica es sorprendente y alentadora en la coyuntura actual. El grafeno podría revolucionar la industria electrónica y ofrecer una alternativa real al silicio.
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