Samsung está acelerando el desarrollo de su tecnología MBCFET de segunda generación para competir con Intel y TSMC en el mercado de semiconductores. La compañía planea introducir la fabricación a gran escala de chips utilizando su tecnología GAA de 2 nm en 2025 y circuitos integrados GAA de 1,4 nm en 2027. Samsung afirma que su tecnología GAA MBCFET permite fabricar chips con un consumo un 50% inferior al de sus circuitos integrados de 5 nm. Además, la compañía está preparando su litografía de 3 nm de segunda generación (SF3) y presentará oficialmente su tecnología MBCFET de segunda generación en el evento IEEE EDTM 2024. Samsung busca consolidarse como uno de los principales fabricantes de semiconductores y competir de tú a tú con Intel y TSMC en el mercado global.
Imagen: Samsung
